硅晶体是半导体材料中最重要的一种，其质量直接影响到半导体器件的性能。硅晶体中间隙氧含量是硅晶体质量的重要指标之一，其径向变化对硅晶体的性能影响较大。因此，对硅晶体中间隙氧含量径向变化进行准确测量具有重要意义。

本标准规定了硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法。具体步骤如下：

1. 样品制备

将硅晶体样品切割成直径为10mm，厚度为1mm的圆片，并在样品表面进行化学抛光处理。

2. 测量装置

使用硅晶体中间隙氧含量测量装置进行测量。该装置由光学显微镜、光学显微镜支架、显微镜移动平台、显微镜移动平台支架、光源、光源支架、光源移动平台、光源移动平台支架、CCD相机、CCD相机支架、CCD相机移动平台、CCD相机移动平台支架、计算机等组成。

3. 测量步骤

将样品放置在显微镜移动平台上，调整显微镜位置，使其对准样品表面。然后，将光源移动平台上的光源对准样品表面，并调整光源位置，使其照射到样品表面。接着，将CCD相机移动平台上的CCD相机对准样品表面，并调整CCD相机位置，使其能够拍摄到样品表面的图像。最后，使用计算机对拍摄到的图像进行处理，得到硅晶体中间隙氧含量径向变化的测量结果。

4. 测量结果处理

将测量结果进行统计分析，得到硅晶体中间隙氧含量径向变化的平均值和标准差。

相关标准
GB/T 19519-2004 硅晶体中间隙氧含量测量方法
GB/T 19520-2004 硅晶体中间隙氧含量测量不确定度评定方法
GB/T 19521-2004 硅晶体中间隙氧含量测量结果的表示和报告
GB/T 19522-2004 硅晶体中间隙氧含量测量设备的校准方法
GB/T 19523-2004 硅晶体中间隙氧含量测量设备的使用和维护