GB/T 24582-2009
酸浸取 电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质
发布时间:2009-10-30 实施时间:2010-06-01


GB/T 24582-2009是一项关于酸浸取电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质的标准。该标准适用于多晶硅表面金属杂质的测定,包括铝、铜、铁、镍、钛、钨、锌、锆等元素。

该标准的主要内容包括样品的制备、仪器的使用、测量条件的设定、数据处理等方面。具体来说,样品的制备需要将多晶硅样品进行酸浸取,然后进行电感耦合等离子质谱仪测量。在仪器的使用方面,需要使用电感耦合等离子质谱仪进行测量,并根据测量结果进行数据处理。

在测量条件的设定方面,需要根据不同元素的特性进行不同的设定。例如,对于铝元素的测量,需要使用氩气作为载气气体,并设置离子源温度、气体流量、离子源电压等参数。对于其他元素的测量,也需要根据其特性进行相应的设定。

在数据处理方面,需要对测量结果进行质量控制,包括检查仪器的稳定性、检查样品的准确性等。同时,还需要进行数据的处理和分析,得出最终的测量结果。

总之,GB/T 24582-2009是一项非常重要的标准,它为多晶硅表面金属杂质的测定提供了一种标准化的方法,可以保证测量结果的准确性和可靠性。

相关标准:
GB/T 24581-2009 酸浸取 电感耦合等离子质谱仪测定单晶硅表面金属杂质
GB/T 24583-2009 酸浸取 电感耦合等离子质谱仪测定硅片表面金属杂质
GB/T 24584-2009 酸浸取 电感耦合等离子质谱仪测定硅片表面非金属杂质
GB/T 24585-2009 酸浸取 电感耦合等离子质谱仪测定硅片表面总杂质含量
GB/T 24586-2009 酸浸取 电感耦合等离子质谱仪测定硅片表面有机杂质