半导体硅片是半导体器件的重要材料之一，其电阻率是影响器件性能的重要参数之一。硅薄膜是半导体器件中常用的材料之一，其薄层电阻也是影响器件性能的重要参数之一。因此，准确测量半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻是保证器件性能的重要保障。

本标准规定了半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻的非接触涡流法测试方法。该方法利用涡流感应原理，通过测量涡流感应电动势来计算材料电阻率或薄层电阻。该方法具有非接触、高精度、高灵敏度等优点，适用于各种形状的半导体硅片和硅薄膜的电阻率或薄层电阻测量。

本标准详细介绍了非接触涡流法测试半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻的步骤和要求。其中包括了测试仪器的选择和校准、样品的制备和处理、测试参数的设置和调整、测试过程的操作和注意事项等内容。同时，本标准还对测试结果的处理和分析进行了详细说明，包括了数据处理、误差分析和结果判定等内容。

本标准的实施可以保证半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻的准确测量，为半导体器件的研究和生产提供了可靠的技术支持。

相关标准
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