：
硅片是半导体材料的重要组成部分，其质量直接影响到半导体器件的性能和可靠性。硅片翘曲度是硅片表面的一种形变，其大小和分布情况对半导体器件的性能和可靠性有着重要的影响。因此，硅片翘曲度的测试方法也就显得尤为重要。

GB/T 6620-2009《硅片翘曲度非接触式测试方法》是我国制定的硅片翘曲度测试标准，该标准规定了硅片翘曲度非接触式测试方法的要求、试验设备、试验程序、试验方法、试验结果的处理和报告。

该标准要求测试设备应具有高精度、高分辨率、高灵敏度、高稳定性等特点，以确保测试结果的准确性和可靠性。试验程序包括试验前的准备工作、试验过程中的操作要求、试验后的数据处理等内容。试验方法采用非接触式测试方法，即利用激光干涉仪或激光三角测量仪等设备对硅片表面进行扫描，通过测量硅片表面的形变来计算硅片翘曲度。试验结果的处理和报告应符合相关的数据处理和报告要求。

该标准的实施可以有效地保证硅片翘曲度测试的准确性和可靠性，为半导体器件的制造和应用提供了重要的技术支持。

相关标准：
GB/T 19519-2004 半导体硅片尺寸测量方法
GB/T 19520-2004 半导体硅片表面缺陷检测方法
GB/T 19521-2004 半导体硅片表面粗糙度测量方法
GB/T 19522-2004 半导体硅片表面平整度测量方法
GB/T 19523-2004 半导体硅片表面杂质检测方法