GB/T 6617-2009
硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
发布时间:2009-10-30 实施时间:2010-06-01


一、标准适用范围
本标准适用于硅片电阻率测定的扩展电阻探针法。

二、标准引用文件
GB/T 191-2008 金属材料试样取样方法及样品制备
GB/T 8170-2008 数字表示方法
GB/T 9969-2008 金属材料拉伸试验方法
GB/T 11170-2008 硅片尺寸测量方法
GB/T 19519-2004 硅片电阻率测定 电桥法

三、术语和定义
本标准中使用的术语和定义与GB/T 19519-2004相同。

四、仪器设备
4.1 扩展电阻探针
4.2 电流源
4.3 电压表
4.4 电流表
4.5 温度计

五、试样制备
5.1 试样形状和尺寸
5.2 试样表面处理
5.3 试样厚度

六、测量程序
6.1 试样放置
6.2 探针接触
6.3 电流和电压测量
6.4 温度测量

七、数据处理
7.1 电阻率计算
7.2 数据处理方法

八、结果表示
8.1 报告内容
8.2 报告格式

相关标准:
GB/T 19519-2004 硅片电阻率测定 电桥法
GB/T 191-2008 金属材料试样取样方法及样品制备
GB/T 8170-2008 数字表示方法
GB/T 9969-2008 金属材料拉伸试验方法
GB/T 11170-2008 硅片尺寸测量方法