重掺n型硅衬底中硼沾污是半导体工业中常见的问题之一，它会影响器件的性能和可靠性。因此，对于硅衬底中硼沾污的检测非常重要。本标准规定了一种二次离子质谱检测方法，可以用于检测重掺n型硅衬底中硼沾污。

该方法的主要步骤如下：

1. 样品制备：将待检测的硅衬底样品切割成适当大小，并进行表面清洗和干燥处理。

2. 二次离子质谱检测：将样品放置在二次离子质谱仪的样品台上，利用离子束轰击样品表面，产生二次离子。通过检测二次离子的质量和数量，可以确定样品中硼的含量和分布情况。

3. 数据处理：将检测到的二次离子质谱数据进行处理，得到硼的含量和分布情况。

该方法具有以下优点：

1. 灵敏度高：可以检测到硅衬底中极低浓度的硼沾污。

2. 精度高：可以对硅衬底中硼的含量和分布情况进行准确测量。

3. 非破坏性：该方法不会对样品造成损伤，可以进行多次检测。

4. 操作简便：该方法操作简单，不需要复杂的设备和技术。

相关标准
GB/T 24579-2009 重掺n型硅衬底中磷沾污的二次离子质谱检测方法

GB/T 24581-2009 重掺n型硅衬底中金属沾污的二次离子质谱检测方法

GB/T 24582-2009 重掺n型硅衬底中碳沾污的二次离子质谱检测方法

GB/T 24583-2009 重掺n型硅衬底中氮沾污的二次离子质谱检测方法

GB/T 24584-2009 重掺n型硅衬底中氧沾污的二次离子质谱检测方法