多晶硅是半导体材料的重要组成部分，其表面金属污染物的含量对器件性能有着重要的影响。本标准旨在规定一种测定多晶硅表面金属污染物含量的方法，以保证多晶硅材料的质量。

本标准适用于多晶硅表面金属污染物的测定，包括铝、铜、铁、镁、锰、镍、钛、锡、锌等金属元素。

测定前的准备工作：
1. 样品的制备：将多晶硅样品切割成适当大小，用去离子水清洗干净，然后用去离子水和乙醇混合液清洗干净，最后用去离子水冲洗干净并晾干备用。
2. 标准品的制备：将所需金属元素的标准品称取适量，用去离子水稀释至一定浓度，制成标准溶液备用。

测定步骤：
1. 取一定量的多晶硅样品，放入酸性溶液中，加热至沸腾，使样品完全溶解。
2. 将溶液冷却至室温，用去离子水稀释至一定浓度。
3. 用原子吸收光谱法测定样品中金属元素的含量。
4. 根据标准品的浓度和吸光度值计算出样品中金属元素的含量。

本标准的测定结果应符合以下要求：
1. 重复测定的相对标准偏差不应大于10%。
2. 标准品的回收率应在90%~110%之间。
3. 样品中金属元素的含量应符合产品技术要求。

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