半导体单晶晶向测定是半导体材料制备和加工过程中的重要环节，对于保证半导体器件的性能和质量具有重要意义。本标准规定了半导体单晶晶向测定的X射线衍射方法，适用于硅、锗、砷化镓、磷化镓、氮化镓、碳化硅等半导体单晶的晶向测定。

本标准规定了晶向测定的仪器设备、样品制备、测量方法和数据处理等内容。其中，晶向测定的仪器设备包括X射线衍射仪、样品旋转台、样品夹具等。样品制备包括样品的切割、打磨和清洗等步骤。测量方法包括样品的放置、X射线管的选择、测量条件的设置等。数据处理包括测量数据的处理和晶向测定结果的计算等。

本标准要求晶向测定的精度和重复性应符合实际需要。在进行晶向测定时，应注意避免样品的晶面受到损伤或污染，同时应注意保持测量环境的稳定性，避免外界因素对测量结果的影响。

相关标准
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