硅外延层、扩散层和离子注入层是半导体器件中常用的材料层，其电阻值的准确测定对于器件的性能和可靠性具有重要意义。本标准规定了硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定方法，采用直排四探针法进行测量。

直排四探针法是一种常用的电阻测量方法，其原理是利用四个探针在样品表面形成一个矩形电流通道，通过测量电流和电压来计算样品的电阻值。与传统的两探针法相比，直排四探针法具有更高的测量精度和更小的测量误差。

本标准中，测量样品的尺寸应符合标准要求，并应在样品表面清洁干净，以保证测量结果的准确性。测量时，应按照标准要求设置四个探针的位置和间距，并通过电流源和电压表等仪器进行测量。测量结果应进行数据处理和分析，以得出样品的电阻值。

本标准的实施可以有效提高硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测量精度和准确性，为半导体器件的研发和生产提供技术支持和保障。

相关标准
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- GB/T 12346-2008 半导体器件封装标志
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