硅片是半导体材料的重要组成部分，其表面平整度对于半导体器件的性能有着重要的影响。因此，对硅片表面平整度的测试方法进行规范化是十分必要的。

本标准适用于硅片表面平整度的测试。测试方法包括光学显微镜法和原子力显微镜法。

光学显微镜法测试步骤如下：

1. 将硅片放置在光学显微镜下，调整显微镜的焦距和光源亮度，使硅片表面清晰可见。

2. 在硅片表面选取一定数量的测试点，使用目镜或者显微镜测量测试点的高度。

3. 计算测试点的平均高度和标准差，得到硅片表面的平整度。

原子力显微镜法测试步骤如下：

1. 将硅片放置在原子力显微镜下，调整显微镜的焦距和扫描参数，使硅片表面清晰可见。

2. 在硅片表面选取一定数量的测试点，使用原子力显微镜测量测试点的高度。

3. 计算测试点的平均高度和标准差，得到硅片表面的平整度。

本标准还规定了测试结果的计算方法和报告格式。

相关标准
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