硅抛光片是半导体制造中常用的材料之一，其表面缺陷会对器件的性能产生影响。本标准旨在规定硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法，以保证硅抛光片的质量。

1.范围
本标准适用于硅抛光片氧化诱生缺陷的检验。

2.术语和定义
2.1 氧化诱生缺陷
在硅抛光片表面进行氧化处理时，由于材料本身的缺陷或者处理过程中的不良因素，会在氧化层与硅抛光片之间形成缺陷，称为氧化诱生缺陷。

2.2 缺陷密度
单位面积内缺陷数量的统计值，通常用/cm²表示。

3.检验方法
3.1 样品准备
从硅抛光片中随机选取若干块样品，每块样品的尺寸应大于等于10mm×10mm，厚度应大于等于500μm。

3.2 氧化处理
将样品进行氧化处理，处理条件应符合硅抛光片制造工艺要求。

3.3 缺陷检测
使用缺陷检测仪器对氧化后的样品进行检测，记录缺陷数量和位置。

3.4 缺陷密度计算
根据检测结果，计算缺陷密度，公式如下：
缺陷密度 = 缺陷数量 / (样品面积 × 检测面积比例)

4.报告内容
检验报告应包括以下内容：
4.1 样品信息，包括样品编号、尺寸、厚度等；
4.2 氧化处理条件；
4.3 缺陷检测结果，包括缺陷数量、位置等；
4.4 缺陷密度计算结果；
4.5 检验结论。

相关标准
GB/T 19519-2004 半导体硅晶圆表面缺陷检验方法
GB/T 19520-2004 半导体硅晶圆表面缺陷分类和计数方法
GB/T 19521-2004 半导体硅晶圆表面缺陷评定方法
GB/T 19522-2004 半导体硅晶圆表面缺陷统计方法
GB/T 19523-2004 半导体硅晶圆表面缺陷检验报告