硅外延层是半导体器件制造中的重要材料，其厚度的测量对于器件的性能和质量具有重要的影响。本标准适用于重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量。

1. 范围
本标准适用于重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量。

2. 规定
2.1 测量原理
利用红外反射测量硅外延层厚度的方法是，利用硅外延层和衬底之间的反射光强度的变化来计算硅外延层的厚度。

2.2 测量仪器
测量仪器应当符合以下要求：
（1）红外光源：波长为1.5~2.5μm，功率大于1W；
（2）反射镜：反射率大于98%；
（3）探测器：灵敏度大于0.5A/W，响应波长范围为1.5~2.5μm；
（4）光学系统：光学分辨率小于1μm；
（5）数据采集系统：采样率大于10kHz。

2.3 样品制备
样品应当符合以下要求：
（1）衬底应当为重掺杂硅衬底；
（2）硅外延层应当为轻掺杂硅外延层；
（3）硅外延层应当为单晶硅；
（4）硅外延层应当为平整的表面。

2.4 测量步骤
（1）将样品放置在测量台上，调整样品的位置，使得样品表面垂直于光路；
（2）打开红外光源，调整反射镜的位置，使得反射光线垂直于样品表面；
（3）打开探测器，调整光学系统的位置，使得探测器接收到反射光线；
（4）记录反射光强度随时间的变化曲线；
（5）计算硅外延层的厚度。

3. 计算方法
（1）计算反射光强度的平均值；
（2）计算反射光强度的标准差；
（3）计算硅外延层的厚度。

4. 报告内容
测量报告应当包括以下内容：
（1）样品的基本信息，包括衬底类型、硅外延层类型、硅外延层厚度等；
（2）测量仪器的基本信息，包括红外光源、反射镜、探测器、光学系统、数据采集系统等；
（3）测量步骤和计算方法；
（4）测量结果，包括硅外延层厚度的平均值、标准差等。

相关标准
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