电子级多晶硅是一种高纯度的硅晶片，其杂质和掺杂浓度要求极高，晶体缺陷要求极少。电子级多晶硅的制备过程非常复杂，需要经过多道工序，包括硅矿石的提纯、硅棒的生长、硅晶片的切割和抛光等。因此，电子级多晶硅的质量对于电子元器件的性能和可靠性有着非常重要的影响。

GB/T 12963-2014规定了电子级多晶硅的技术要求，包括杂质和掺杂浓度、晶体缺陷、电阻率、光伏特性等指标。其中，杂质和掺杂浓度是电子级多晶硅的关键指标，其要求如下：

1. 杂质浓度：铁、铝、钙、钠、钾、锰、镁、铜、锌、镉、银、铅、磷、硼、碳、氮、氧、氢等杂质的总浓度不得超过1×10^15个原子/cm3。

2. 掺杂浓度：硼、磷、砷、锗等掺杂元素的浓度应符合制造太阳能电池、集成电路、光电器件等电子元器件的要求。

此外，GB/T 12963-2014还规定了电子级多晶硅的晶体缺陷、电阻率、光伏特性等指标的要求。其中，晶体缺陷包括晶界、位错、氧杂质等，其数量和分布应符合制造电子元器件的要求。电阻率应在0.1~10Ω·cm之间，光伏特性应符合制造太阳能电池的要求。

除了技术要求，GB/T 12963-2014还规定了电子级多晶硅的试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存等内容。其中，试验方法包括杂质浓度、掺杂浓度、晶体缺陷、电阻率、光伏特性等指标的测量方法。检验规则和标志包括电子级多晶硅的检验方法、合格标准、不合格品的处理等。包装、运输、贮存等内容则规定了电子级多晶硅的包装方式、运输条件、贮存条件等。

相关标准
GB/T 19536-2017 太阳能电池用硅片
GB/T 19537-2017 太阳能电池用硅片质量控制
GB/T 19538-2017 太阳能电池用硅片试验方法
GB/T 19539-2017 太阳能电池用硅片标志、包装、运输和贮存
GB/T 19540-2017 太阳能电池用硅片不合格品处理