GB/T 13539.4-2016
低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求
发布时间:2016-04-25 实施时间:2016-11-01


GB/T 13539.4-2016是低压熔断器的第4部分,主要针对半导体设备保护用熔断体的补充要求进行规定。半导体设备保护用熔断体是一种用于保护半导体器件的熔断器,其主要作用是在电路故障时迅速切断电路,以保护半导体器件不受过电流的损害。

本标准对半导体设备保护用熔断体的分类、标记、尺寸、电气性能、机械性能、环境试验、可靠性试验等方面进行了详细的规定。其中,熔断体的分类主要包括熔断速度、熔断电流、熔断电压等指标,以便用户根据实际需要选择合适的熔断体。熔断体的标记应包括熔断速度、熔断电流、熔断电压等信息,以便用户正确使用和识别熔断体。

熔断体的尺寸应符合相关标准的要求,以确保其能够正确安装在半导体保护器中。熔断体的电气性能应符合相关标准的要求,包括熔断电流、熔断电压、熔断时间等指标。熔断体的机械性能应符合相关标准的要求,包括机械强度、耐冲击性、耐振动性等指标。

熔断体的环境试验应包括高温试验、低温试验、湿热试验等,以确保其能够在各种环境下正常工作。熔断体的可靠性试验应包括寿命试验、重复熔断试验等,以确保其能够长期稳定地工作。

总之,GB/T 13539.4-2016为半导体设备保护用熔断体的设计、生产和使用提供了详细的规范,有助于提高熔断体的质量和可靠性,保障半导体器件的安全运行。

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