一、范围
本标准适用于集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片的生产和检验。

二、分类和要求
2.1 分类
按照晶体凹坑密度分为：低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片和高密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片。

2.2 要求
低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片应符合以下要求：
a) 晶体凹坑密度不大于1.5×10^3个/cm^2；
b) 晶体凹坑深度不大于10 nm；
c) 晶体凹坑直径不大于100 nm；
d) 晶体表面粗糙度Ra不大于0.2 nm；
e) 晶体表面平整度不大于0.2 μm；
f) 晶体表面氧化物含量不大于1×10^11个/cm^2。

三、试验方法
3.1 晶体凹坑密度的测定
采用扫描电子显微镜（SEM）对晶体表面进行观察，计算晶体凹坑密度。

3.2 晶体凹坑深度和直径的测定
采用原子力显微镜（AFM）对晶体表面进行观察，计算晶体凹坑深度和直径。

3.3 晶体表面粗糙度和平整度的测定
采用原子力显微镜（AFM）对晶体表面进行观察，计算晶体表面粗糙度和平整度。

3.4 晶体表面氧化物含量的测定
采用X射线光电子能谱（XPS）对晶体表面进行分析，计算晶体表面氧化物含量。

四、检验规则
4.1 检验项目和标准
见表1。

表1 检验项目和标准

检验项目 标准
晶体凹坑密度 GB/T 41325-2022
晶体凹坑深度 GB/T 41325-2022
晶体凹坑直径 GB/T 41325-2022
晶体表面粗糙度 GB/T 41325-2022
晶体表面平整度 GB/T 41325-2022
晶体表面氧化物含量 GB/T 41325-2022

4.2 检验方法
按照本标准规定的试验方法进行检验。

4.3 检验结果的判定
检验结果符合本标准规定的要求的，判定为合格；否则，判定为不合格。

五、标志、包装、运输和贮存
5.1 标志
每个抛光片应在其包装上标明以下内容：
a) 生产厂家名称、地址和联系方式；
b) 抛光片型号、规格和数量；
c) 生产日期或批号。

5.2 包装
抛光片应采用防静电包装材料进行包装，并在包装上标明相关标志。

5.3 运输
抛光片在运输过程中应避免受到机械振动和碰撞，防止受潮、受热、受冷和受光。

5.4 贮存
抛光片应存放在防静电环境下，避免受到机械振动和碰撞，防止受潮、受热、受冷和受光。

相关标准
GB/T 41324-2022 集成电路用高密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片
GB/T 41326-2022 集成电路用硅单晶晶圆
GB/T 41327-2022 集成电路用硅单晶晶粒
GB/T 41328-2022 集成电路用硅单晶晶棒
GB/T 41329-2022 集成电路用硅单晶晶体管片