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晶体硅光伏(PV)方阵是一种将太阳能转化为电能的设备，其I-V特性是评估其性能的重要指标之一。为了保证晶体硅光伏(PV)方阵的性能和质量，需要对其I-V特性进行现场测量。本标准就是为了规范晶体硅光伏(PV)方阵I-V特性的现场测量方法和要求。

1.适用范围
本标准适用于晶体硅光伏(PV)方阵的I-V特性现场测量。

2.测量原理
晶体硅光伏(PV)方阵的I-V特性是指在不同光照强度下，其输出电流与输出电压之间的关系。测量时，需要将晶体硅光伏(PV)方阵连接到负载上，通过改变负载的电阻，测量不同电压下的电流值，从而得到I-V特性曲线。

3.测量要求
3.1 测量设备
测量设备应符合国家相关标准，且应具有足够的精度和稳定性。
3.2 测量环境
测量环境应符合国家相关标准，且应保持稳定。
3.3 测量方法
测量方法应符合国家相关标准，且应保证测量精度和可靠性。
3.4 测量数据处理
测量数据应进行有效处理，确保数据的准确性和可靠性。

4.测量报告
测量报告应包括以下内容：
4.1 测量日期和地点；
4.2 测量设备的型号和编号；
4.3 测量环境的温度、湿度等参数；
4.4 测量方法和过程；
4.5 测量数据和处理结果；
4.6 结论和建议。

相关标准：
GB/T 9535-2006 晶体硅光伏电池片
GB/T 9536-2006 晶体硅光伏组件
GB/T 19964-2017 光伏电站工程建设技术规范
GB/T 19965-2017 光伏电站工程质量验收规范
GB/T 19966-2017 光伏电站工程运行与维护规范