物理气相沉积是一种常用的薄膜制备技术，可以制备出高质量的TiN薄膜。本标准规定了物理气相沉积TiN薄膜的技术条件，以保证薄膜的质量和稳定性。

1. 设备要求
物理气相沉积TiN薄膜的设备应具备以下要求：
（1）真空度：应达到5×10^-4Pa以下；
（2）沉积室：应具有良好的密封性和均匀的温度分布；
（3）靶材：应为纯度高、密度均匀的TiN材料；
（4）辅助加热：应具备辅助加热功能，以提高沉积速率和薄膜质量。

2. 工艺要求
物理气相沉积TiN薄膜的工艺应具备以下要求：
（1）沉积气体：应为高纯度的氮气和氩气；
（2）沉积温度：应在400℃~600℃之间；
（3）沉积速率：应在0.1~1.0nm/s之间；
（4）沉积时间：应根据薄膜厚度和沉积速率确定。

3. 薄膜性能要求
物理气相沉积TiN薄膜的性能应具备以下要求：
（1）薄膜厚度：应在0.1~2.0μm之间；
（2）薄膜硬度：应达到20~30GPa；
（3）薄膜粘附力：应达到40N以上；
（4）薄膜表面粗糙度：应小于0.5nm。

相关标准
GB/T 18683-2002 物理气相沉积TiC薄膜技术条件
GB/T 18684-2002 物理气相沉积TiAlN薄膜技术条件
GB/T 18685-2002 物理气相沉积CrN薄膜技术条件
GB/T 18686-2002 物理气相沉积ZrN薄膜技术条件
GB/T 18687-2002 物理气相沉积TiSiN薄膜技术条件