GB/T 31225-2014
椭圆偏振仪测量硅表面上二氧化硅薄层厚度的方法
发布时间:2014-09-30 实施时间:2015-04-15
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椭圆偏振仪是一种用于测量薄膜厚度和光学常数的仪器。它利用椭圆偏振光的旋转角度和振幅比来计算薄膜的厚度和折射率。在硅表面上,二氧化硅薄层的厚度是非常重要的,因为它可以影响硅片的电学性能和机械性能。因此,测量硅表面上二氧化硅薄层的厚度是非常必要的。
本标准规定了使用椭圆偏振仪测量硅表面上二氧化硅薄层厚度的方法。该方法包括以下步骤:
1. 样品的制备:将硅片放置在样品台上,并清洗干净。
2. 椭圆偏振仪的校准:根据椭圆偏振仪的使用说明书进行校准。
3. 测量:将椭圆偏振仪的探头放置在硅片上,并进行测量。在测量过程中,需要记录下椭圆偏振仪的旋转角度和振幅比。
4. 数据处理:根据测量结果计算出二氧化硅薄层的厚度和折射率。
需要注意的是,在进行测量之前,需要对硅片进行预处理,以确保表面光洁度和平整度。此外,在测量过程中,需要避免样品表面受到污染或损伤。
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