原子层沉积（ALD）是一种薄膜制备技术，其特点是在表面上沉积一层原子厚度的材料。ALD技术已经被广泛应用于微电子学、光电子学、能源和生物医学等领域。为了在ALD领域中进行交流和理解，需要一个统一的术语和定义。BS ISO 8181就是为此而制定的。

BS ISO 8181定义了与ALD相关的术语和定义。例如，该标准定义了ALD的基本原理，即在表面上交替沉积两种或多种前体分子，每次沉积一层原子厚度的材料。此外，该标准还定义了与ALD相关的其他术语，如前体分子、反应室、表面反应、后处理等。

此标准适用于ALD的薄膜制备，包括化学气相沉积和物理气相沉积。化学气相沉积是通过化学反应在表面上沉积材料，而物理气相沉积是通过物理过程在表面上沉积材料。此外，该标准还涵盖了ALD的前体分子、反应室、表面反应、后处理等方面的术语和定义。

BS ISO 8181的制定旨在为ALD领域的研究人员、工程师和技术人员提供一个统一的术语和定义，以便更好地进行交流和理解。此外，该标准还可以作为ALD技术的教学材料，帮助学生更好地理解ALD的基本原理和相关术语。

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