俄歇电子能谱是一种表面分析技术，可用于确定材料表面的元素和化学状态。然而，化学效应和基质效应可能会影响俄歇电子能谱的结果。化学效应是指在材料表面发生的化学反应，这些反应可能会改变表面元素的化学状态。基质效应是指材料表面的基质对俄歇电子能谱的影响。这些效应可能会导致俄歇电子能谱的峰形状和强度发生变化，从而影响元素的定量分析。

ASTM E984 - 12(2020)标准提供了一些方法，以识别化学效应和基质效应对俄歇电子能谱的影响。该标准建议使用标准参考材料进行校准和验证。此外，该标准还提供了一些建议，以减少化学效应和基质效应的影响。例如，可以使用低能电子束进行表面清洁，以减少基质效应的影响。此外，该标准还提供了一些建议，以减少化学效应的影响，例如使用低能电子束或离子束进行表面清洁，以去除表面的氧化物和其他化合物。

ASTM E984 - 12(2020)标准还提供了一些建议，以识别化学效应和基质效应对俄歇电子能谱的影响。例如，可以使用不同的电子能量和束流密度进行分析，以确定化学效应和基质效应的影响。此外，该标准还提供了一些建议，以确定化学效应和基质效应对俄歇电子能谱的影响。例如，可以使用X射线光电子能谱（XPS）或扫描电子显微镜（SEM）等其他表面分析技术进行验证。

相关标准
- ASTM E673-84(2018) 标准方法用于测量俄歇电子能谱中的分辨率和灵敏度
- ASTM E1508-12(2017) 标准指南用于俄歇电子能谱中的数据采集
- ASTM E1633-16 标准指南用于俄歇电子能谱中的数据分析
- ASTM E1845-95(2017) 标准指南用于俄歇电子能谱中的数据处理
- ASTM E2103-19 标准指南用于俄歇电子能谱中的数据解释