原子层沉积（ALD）是一种薄膜制备技术，其特点是在表面上沉积一层原子厚度的材料。ALD技术已经被广泛应用于微电子学、光电子学、能源和生物医学等领域。为了在ALD领域中进行交流和理解，BS ISO 8181定义了与ALD相关的术语和定义。

BS ISO 8181中定义了许多与ALD相关的术语，包括ALD反应、ALD循环、ALD前体、ALD反应室、ALD衬底、ALD薄膜等。这些术语的定义有助于在ALD领域中进行交流和理解。

此外，BS ISO 8181还定义了一些与ALD相关的术语的缩写，例如ALD、PEALD、TMA、TDMA等。这些缩写的定义有助于在ALD领域中进行交流和理解。

BS ISO 8181还定义了一些与ALD相关的术语的单位，例如ALD循环数、ALD前体流量、ALD反应室压力等。这些单位的定义有助于在ALD领域中进行交流和理解。

此外，BS ISO 8181还定义了一些与ALD相关的术语的符号，例如ALD反应方程式中的符号。这些符号的定义有助于在ALD领域中进行交流和理解。

总之，BS ISO 8181定义了与ALD相关的术语和定义，有助于在ALD领域中进行交流和理解。此标准适用于ALD的薄膜制备，包括化学气相沉积和物理气相沉积。

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- BS EN ISO 14644-2. 纯净室和相关受控环境的分类. 测试方法
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