BS IEC 60747-8:2010+A1:2021
Semiconductor devices. Discrete devices - Field-effect transistors
发布时间:2021-07-31 实施时间:
BS IEC 60747-8:2010+A1:2021标准主要包括以下内容:
1. 术语和定义:该标准规定了场效应晶体管相关的术语和定义,以便在标准中使用时能够统一理解。
2. 符号:该标准规定了场效应晶体管相关的符号,以便在标准中使用时能够统一表示。
3. 测试方法:该标准规定了场效应晶体管的测试方法,包括静态特性测试、动态特性测试、温度特性测试、电磁兼容性测试等。
4. 可靠性:该标准规定了场效应晶体管的可靠性要求,包括环境应力、寿命、失效率等。
5. 质量评估:该标准规定了场效应晶体管的质量评估要求,包括可靠性评估、可靠性保证、质量控制等。
场效应晶体管是一种重要的半导体器件,广泛应用于电子、通信、计算机、汽车、航空航天等领域。该标准的制定,有助于提高场效应晶体管的质量和可靠性,促进场效应晶体管的应用和发展。
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