BS IEC 63068-4:2022
Semiconductor devices. Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Procedure for identifying and evaluating defects using a combined method of optical inspection and…
发布时间：2022-09-30 实施时间：


BS IEC 63068-4:2022标准是针对碳化硅同质外延片中缺陷的非破坏性识别标准。该标准规定了使用光学检查和电学测量相结合的方法来识别和评估碳化硅同质外延片中的缺陷。该标准适用于功率器件用碳化硅同质外延片的质量控制和评估。

碳化硅是一种新型的半导体材料，具有高温、高压、高频等特性，被广泛应用于功率器件领域。然而，碳化硅同质外延片中的缺陷会影响器件的可靠性和性能。因此，对于碳化硅同质外延片中的缺陷进行识别和评估非常重要。

BS IEC 63068-4:2022标准规定了使用光学检查和电学测量相结合的方法来识别和评估碳化硅同质外延片中的缺陷。光学检查可以用来检测表面缺陷，如裂纹、氧化物、污染等。电学测量可以用来检测内部缺陷，如晶格缺陷、杂质、位错等。通过光学检查和电学测量相结合的方法，可以全面地识别和评估碳化硅同质外延片中的缺陷。

BS IEC 63068-4:2022标准的实施需要一定的设备和技术支持。在进行光学检查时，需要使用高分辨率显微镜和显微摄像机等设备。在进行电学测量时，需要使用电学测试仪器和测试程序等设备。此外，还需要具备相关的技术知识和经验，以确保测试结果的准确性和可靠性。

BS IEC 63068-4:2022标准的实施可以提高碳化硅同质外延片的质量和可靠性，从而提高功率器件的性能和寿命。该标准的实施还可以促进碳化硅半导体材料的发展和应用，推动半导体器件技术的进步。

相关标准
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